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4月23日，中国工程院公布2021年院士增选有效候选人名单。中国电科十三所副所长蔡树军在列。

蔡树军，1985年本科毕业于武汉大学物理系半导体专业，毕业后来到十三所。1996年公派前往美国，后在加州大学洛杉矶分校(UCLA)电子工程系攻读博士学位，主修半导体器件、辅修半导体材料和集成电路专业，以优异成绩完成了学业。其博士论文是早期从事相关研究的学生参考书之一。

蔡树军胸怀报国赤子之心，2004年学成归国后回到十三所，带领团队在射频芯片国际科技前沿领域攻坚克难，在没有成熟技术可参考的情况下，在高质量材料制备、芯片设计与制造等方面实现一系列重大突破，解决了宽禁带氮化镓射频器件性能提升和可靠性难题，开发出了近千款国际先进水平的产品，同步实现批量生产，支撑了国家一大批重大装备的升级换代，实现了我国高端射频芯片的自主保障。

蔡树军作为团队负责人，荣获2019年度国家科技进步一等奖，2017年度国防科技进步一等奖，中国电子学会发明奖一等奖，并获得多项省部级奖励，联合发表论文近200篇，主导制订国际标准，彰显团队国际地位和影响力。

心中有梦，方得始终，蔡树军对石墨烯、金刚石、氧化镓的研究规划已然在路上。

路漫漫其修远兮，吾将上下而求索，振兴民族半导体、实现国防现代化和国民经济信息化，需要我们一代代半导体人不忘初心，牢记使命，共同谱写半导体发展新篇章。